ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最低※VF與高抗浪涌電流的SiC肖特基勢壘二極管“SCS3系列”
非常適用于各種電源裝置的PFC電路，可大幅改善工作時效率
全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管(以下稱SiC-SBD) SCS3系列。
本產(chǎn)品采用新結(jié)構(gòu)，不僅繼承了量產(chǎn)中的第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的業(yè)界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此，還可用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路，非常有助于提高應用的效率。
本產(chǎn)品已于2016年3月開始出售樣品，計劃于2016年4月開始逐步投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Korea Corporation(韓國)。
今后，ROHM將通過擴大SiC元器件產(chǎn)品的陣容，繼續(xù)為電力電子設(shè)備的節(jié)能化作出貢獻。
<背景>
近年來，在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領(lǐng)域，為提高功率轉(zhuǎn)換效率以實現(xiàn)進一步節(jié)能，更高效率的功率元器件產(chǎn)品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優(yōu)異的材料特性，在這些領(lǐng)域中的應用日益廣泛。尤其是在服務(wù)器等這類要求更高電源效率的設(shè)備電源中，SiC-SBD產(chǎn)品因其快速恢復特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設(shè)備效率。在這些用途中，抗浪涌電流※3特性成為重要的參數(shù)。一直以來，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產(chǎn)品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應用范圍，ROHM 采用新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，成功開發(fā)出保持業(yè)界最高水平的低VF特性、并實現(xiàn)高抗浪涌電流特性的產(chǎn)品。
<特點>
1. 保持低VF特性，實現(xiàn)高抗浪涌電流能力
此次開發(fā)的第3代SiC-SBDSCS3系列，為實現(xiàn)高抗浪涌電流能力，采用了JBS(Junction Barrier schottky)結(jié)構(gòu)。以往的結(jié)構(gòu)是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結(jié)構(gòu)，而ROHM的第3代最新產(chǎn)品，不僅具備以往產(chǎn)品的特點，而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的低VF特性，將作為更高性能的產(chǎn)品大展身手。
