TI發(fā)布數(shù)字電源芯片組可智能優(yōu)化死區(qū)時間從而提
獨有的體二極管感測改善了系統(tǒng)效率
并使 MOSFET 電壓應(yīng)力銳減一半
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)內(nèi)首款具有智能數(shù)字控制和獨一無二的體二極管感測功能的電源管理芯片組,可優(yōu)化下一代AC/DC 電源中的次級側(cè)同步整流。UCD3138A數(shù)字控制器和 UCD7138低側(cè)柵極驅(qū)動器改善了系統(tǒng)效率,與其他數(shù)字電源解決方案相比,可將同步整流 MOSFET 電壓應(yīng)力銳減一半。
在同步整流器內(nèi)對死區(qū)時間的精準控制可最大限度地減少功率損失,同時降低MOSFET電源故障的風險。UCD3138A和UCD7138芯片組在快速數(shù)字控制算法中采用體二極管電壓信息來動態(tài)地優(yōu)化死區(qū)時間,并可以補償功率級組件變化,從而無需在批量生產(chǎn)中進行校準或篩選。這能夠幫助服務(wù)器和電信設(shè)備供應(yīng)商加快80PLUS 鈦金牌認證電源的上市的時間,同時還能幫助信息技術(shù)服務(wù)提供商節(jié)省能源成本。
UCD3138A和UCD7138的主要特性與優(yōu)勢:
● 智能二極管電壓感測優(yōu)化了死區(qū)時間:通過更精確偵測同步整流管的寄生二極管的導通能夠提高效率和可靠性,同時消除傳統(tǒng) MOSFET VDS ON 感測器件的信噪比難題。
● 高峰值電流支持寬負載范圍:在使用多個并聯(lián)FET的情況下,UCD7138 的不對稱、軌至軌 4 A 供電電流和 6 A峰值吸收電流驅(qū)動可支持從幾百瓦到一千瓦的負載范圍。
●緊湊型解決方案可實現(xiàn)快速、高效的開關(guān)切換:單個3 mm x 3 mm 的四方扁平無引線 (QFN) 封裝縮減了板級空間,并且降低了當布設(shè)在同步整流器 MOSFET 的旁邊時所產(chǎn)生的寄生電感。
●在高達 2 MHz 頻率下實現(xiàn)高效運作:UCD3138A 中的硬件外設(shè)以及UCD7138中的14 ns 傳播延遲、快速上升/下降時間和最小化容差可實現(xiàn)極高的頻率。
和此芯片組相配合,TI最近還發(fā)布了新的更低功率AC/DC Flyback轉(zhuǎn)換器。TI 的UCC24630同步整流控制器可提供最高的效率以及對于電路板布局和 MOSFET 封裝寄生效應(yīng)的低敏感性。另外,自動低功耗檢測和 110μA 待機電流還使得設(shè)計人員能夠輕松地實現(xiàn)超低的待機功耗。